Yangjie Electronic Technology 1-5KE33CA Diodo TVS 1500W 33V Bidirezionale DO-27 THT
| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.65 € | — |
| 30 – 99 | 0.34 € | -48% |
| 100 – 199 | 0.31 € | -52% |
| 200 – 499 | 0.27 € | -58% |
| 500 – 1249 | 0.25 € | -62% |
| 1250+Miglior prezzo | 0.24 € | -63% |
Descrizione tecnica del prodotto (1-5KE33CA):
Dissipazione di potenza di picco: 1500W. RoHS: sì. Struttura: bidirezionale. Tensione di rottura: 33V. Tensione di sicurezza inversa: 28.2V. Numero di terminali: 2. Tolleranza: 5%. Contenitore: DO-27. Tensione di mantenimento in chiusura [V]: 28.2V. Corrente di impulso massima: 33.3A. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Serie: 1.5KE. Configurazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500 W @ 1ms. Funzione: protezione contro le sovratensioni. Temperatura massima: +175°C. Tipo di soppressore transitorio: bidirezionale. Potenza: 1.5kW. Tensione di rottura (Min): 31.4V. Tensione di soglia Vf (min): 3.5V. Tensione di soglia Vf (max): 5V. Struttura dielettrica: bidirezionale. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione: 1uA. Proprietà degli elementi semiconduttori: passivato in vetro. Tipo di diodo: TVS. Corrente di impulso di picco (10/1000us): 33A. Dissipazione di potenza massima: 1.5 kW. Corrente di dispersione inversa Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Struttura semiconduttrice: bidirezionale. IFSM: 200A. Materiale semiconduttore: silicio. Ubr [V] @ Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Tensione inversa massima: 28.2V.