Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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UG2D

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1 - 4 0.69€ 0.84€
5 - 9 0.65€ 0.79€
10 - 24 0.62€ 0.76€
25 - 49 0.58€ 0.71€
50 - 95 0.57€ 0.70€
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UG2D. Do: 35pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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UF5404

UF5404

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
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Do: 175pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: ...
SB3200
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
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