Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.31€
5-49
1.08€
50-99
0.91€
100+
0.81€
Quantità in magazzino: 80

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 130 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 20A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.58W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: SILICON PLANAR. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tf(massimo): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:05

Documentazione tecnica (PDF)
ZTX851
24 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
130 MHz
Funzione
Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
20A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.58W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
SILICON PLANAR
Temperatura di funzionamento
-55...+200°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tf(massimo)
1100 ns
Tf(min)
45 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc.