Transistor NPN ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

Transistor NPN ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.29€
5-24
1.10€
25-99
0.97€
100-199
0.88€
200+
0.75€
Quantità in magazzino: 125

Transistor NPN ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 30pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 175 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Ic(impulso): 6A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX753. Tecnologia: SILICON PLANAR. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Tf(massimo): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:05

Documentazione tecnica (PDF)
ZTX653
26 parametri
Corrente del collettore
2A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
30pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
175 MHz
Funzione
Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V
Ic(impulso)
6A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) ZTX753
Tecnologia
SILICON PLANAR
Temperatura di funzionamento
-55...+200°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.13V
Tf(massimo)
1200 ns
Tf(min)
80 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc.