Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.44€
5-9
0.33€
10-24
0.30€
25+
0.27€
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Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: kHz. Funzione: transistor con rete di resistori di polarizzazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: 8B. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: B1GBCFLL0035. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 338mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 8B. Tecnologia: Transistor digitali (BRT). Temperatura: +150°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parametri
Corrente del collettore
0.1A
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
kHz
Funzione
transistor con rete di resistori di polarizzazione
Guadagno hFE massimo
100
Guadagno hFE minimo
60
Marcatura sulla cassa
8B
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
B1GBCFLL0035
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
338mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 8B
Tecnologia
Transistor digitali (BRT)
Temperatura
+150°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor