Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 0.6A. Costo): 6pF. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Equivalenti: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura del produttore: 2L. Marcatura sulla cassa: 2 L. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Polarità: bipolari. Potenza: 350mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD (codice data 2Lx). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 150V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37