Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.53€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.50€ | 0.61€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 99 | 0.42€ | 0.51€ |
100 - 109 | 0.40€ | 0.49€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.53€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.50€ | 0.61€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 99 | 0.42€ | 0.51€ |
100 - 109 | 0.40€ | 0.49€ |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.
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