Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.52€
5-24
6.84€
25-49
5.96€
50+
5.52€
Quantità in magazzino: 155

Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Data di produzione: 2015/04. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 4 MHz. Funzione: Eccellente linearità del guadagno. Guadagno hFE massimo: 80. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 30A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW21196. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MJW21195
25 parametri
Corrente del collettore
16A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Data di produzione
2015/04
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
4 MHz
Funzione
Eccellente linearità del guadagno
Guadagno hFE massimo
80
Guadagno hFE minimo
20
Ic(impulso)
30A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJW21196
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
400V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor