Transistor NPN MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A

Transistor NPN MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A

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Transistor NPN MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 450/400V. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente del collettore: -8A. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Marcatura del produttore: MJE5852G. Numero di terminali: 3. Polarità: PNP. Potenza: 80W. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tipo di transistor: transistor di potenza. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJE5852G
17 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
450/400V
Alloggiamento
TO-220AB
Corrente del collettore
-8A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
400V
Corrente collettore Ic [A], max.
8A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
80W
Famiglia di componenti
transistor PNP ad alta tensione
Marcatura del produttore
MJE5852G
Numero di terminali
3
Polarità
PNP
Potenza
80W
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tipo di transistor
transistor di potenza
Prodotto originale del produttore
Onsemi