Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.94€
5-24
0.79€
25-49
0.69€
50-99
0.63€
100+
0.54€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 46

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Tecnologia: Base epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
2 MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
70
Guadagno hFE minimo
20
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
75W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJE2955T
Tecnologia
Base epitassiale
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.1V
Tipo di transistor
NPN
Unità di condizionamento
50
Vcbo
70V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Fairchild

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