Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.96€
5-24
0.80€
25-49
0.70€
50-99
0.64€
100+
0.55€
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Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: -70V. Corrente del collettore: 10A. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 10A. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Frequenza massima: 4MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Marcatura del produttore: MJE2955T. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Polarità: bipolari. Potenza: 90W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Tecnologia: Base epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJE2955T
42 parametri
Alloggiamento
TO-220
Tensione collettore-emettitore VCEO
-70V
Corrente del collettore
10A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220AB
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
60V
Corrente collettore Ic [A], max.
10A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
10A
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
75W
FT
2 MHz
Famiglia di componenti
transistor di potenza PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
2 MHz
Frequenza massima
4MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
70
Guadagno hFE minimo
20
Marcatura del produttore
MJE2955T
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
75W
Polarità
bipolari
Potenza
90W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJE3055T
Tecnologia
Base epitassiale
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
70V
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.1V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
8V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
70V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

Prodotti e/o accessori equivalenti per MJE2955T