Transistor NPN MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente collettore Ic [A], max.: 4mA. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.015W. FT: 40 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Frequenza massima: 40MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Marcatura del produttore: MJE243G. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Polarità: NPN. Potenza: 15W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27