Transistor NPN MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 80pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 65MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 45. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE210. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27