Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.23€
5-24
2.81€
25-49
2.51€
50+
2.42€
Quantità in magazzino: 11

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Ic(impulso): 16A. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

MJE18008
23 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
450V
C(in)
1750pF
Costo)
100pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
13MHz
Funzione
Applicazioni di alimentazione in modalità switching
Guadagno hFE massimo
14
Guadagno hFE minimo
34
Ic(impulso)
16A
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
120W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-60...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.6V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1000V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor