Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A
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Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 5A. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Applicazioni: commutazione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Marcatura del produttore: MJE18004G. Numero di terminali: 3. Polarità: NPN. Potenza: 75W. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27
MJE18004G
19 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Tensione collettore-emettitore VCEO
1000V
Corrente del collettore
5A
Corrente collettore Ic [A], max.
5A
Applicazioni
commutazione
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
Dissipazione massima Ptot [W]
75W
Famiglia di componenti
transistor di potenza NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
13 MHz
Marcatura del produttore
MJE18004G
Numero di terminali
3
Polarità
NPN
Potenza
75W
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
450V
Tipo di transistor
transistor di potenza
Prodotto originale del produttore
Onsemi