Transistor NPN MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Frequenza massima: 30MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:05