Transistor NPN MJD44H11G, D-PAK, 8A
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Transistor NPN MJD44H11G, D-PAK, 8A. Alloggiamento: D-PAK. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (standard JEDEC): TO-252. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 85 MHz. Marcatura del produttore: J44H11. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 03/11/2025, 06:19
MJD44H11G
13 parametri
Alloggiamento
D-PAK
Corrente collettore Ic [A], max.
8A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Custodia (standard JEDEC)
TO-252
Dissipazione massima Ptot [W]
20W
Famiglia di componenti
transistor di potenza NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
85 MHz
Marcatura del produttore
J44H11
Numero di terminali
3
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Prodotto originale del produttore
Onsemi