Transistor NPN MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore VCEO: -120V. Corrente del collettore: 30A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente massima 1: -30A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Diodo incorporato: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza massima: 4MHz. Funzione: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE minimo: 1000. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 4MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: MJ11015G. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: PNP. Potenza: 200W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Serie: MJ11015G. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Temperatura massima: +200°C.. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di montaggio: Monte del telaio. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor Darlington. Transistor Darlington?: sì. VCBO di tensione-base Collector: -120V. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:05