Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.07€
5-14
1.71€
15-29
1.52€
30+
1.34€
Quantità in magazzino: 117

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:05

Documentazione tecnica (PDF)
MD2009DFX
25 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PF
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
700V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Funzione
FAST-SWITCH
Guadagno hFE massimo
18
Guadagno hFE minimo
5
Ic(impulso)
16A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
58W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
ICM--16A (tp=5ms)
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.3V
Tf(massimo)
0.6us
Tf(min)
0.3us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics