Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.29€
5-29
2.01€
30-59
1.80€
60+
1.66€
Quantità in magazzino: 18

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( H ) IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 280pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 10 MHz. Funzione: Amplificatore audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Marcatura sulla cassa: B778. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) KTD998. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di transistor: PNP. Unità di condizionamento: 30. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Korea Electronics Semi. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
KTB778
26 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P ( H ) IS
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
280pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
10 MHz
Funzione
Amplificatore audio ad alta potenza
Guadagno hFE massimo
160
Guadagno hFE minimo
55
Marcatura sulla cassa
B778
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
80W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) KTD998
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tipo di transistor
PNP
Unità di condizionamento
30
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Korea Electronics Semi.