Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.82€
5-9
8.02€
10-19
7.60€
20+
7.29€
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Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 10. RoHS: sì. Spec info: VEBO 6V. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
KSC5386TU
30 parametri
Corrente del collettore
7A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PF
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
kHz
Funzione
High Switching 0.1us
Guadagno hFE massimo
22
Guadagno hFE minimo
8:1
Ic(impulso)
16A
Marcatura sulla cassa
C5386
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
10
RoHS
Spec info
VEBO 6V
Tecnologia
"Transistor al silicio planare triplo diffuso"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
4.2V
Tf(massimo)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Tipo di transistor
NPN
Unità di condizionamento
30
Vcbo
1500V
Vebo
6V