Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.57€
5-24
1.30€
25-49
1.16€
50+
1.02€
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Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 5.5A. Corrente del collettore: 5.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. FT: 100 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Funzione: PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 20A. Marcatura del produttore: FZT949. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: tensione di saturazione molto bassa. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Zetex. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
FZT949
31 parametri
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
30 v
Corrente collettore Ic [A], max.
5.5A
Corrente del collettore
5.5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
3W
FT
100 MHz
Famiglia di componenti
transistor di potenza PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Funzione
PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
20A
Marcatura del produttore
FZT949
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
3W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
tensione di saturazione molto bassa
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.35V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Zetex