Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-19
0.0605€
20-49
0.0540€
50+
0.0475€
Quantità in magazzino: 2280
Min.: 10

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Data di produzione: 2014/49. FT: kHz. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 18. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:16

Documentazione tecnica (PDF)
DTC143ZT
22 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Data di produzione
2014/49
FT
kHz
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
100mA
Marcatura sulla cassa
18
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors
Quantità minima
10