Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.05€
5-24
1.69€
25-49
1.51€
50+
1.35€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 43

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: transistor di potenza. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57

Documentazione tecnica (PDF)
BUT11APX
23 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F ( SOT186A )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
450V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Guadagno hFE massimo
35
Guadagno hFE minimo
10
Ic(impulso)
10A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
32W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
transistor di potenza
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.25V
Tf(massimo)
160 ns
Tf(min)
145 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1000V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors

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