Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 50pF. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57