Transistor NPN BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor NPN BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.96€
5-14
1.75€
15-24
1.59€
25-49
1.47€
50+
1.24€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 15

Transistor NPN BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 13.5. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Quantità per scatola: 1. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tf(massimo): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)
BUL312FP
24 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
kHz
Funzione
Commutazione rapida ad alta tensione
Guadagno hFE massimo
13.5
Guadagno hFE minimo
8:1
Ic(impulso)
10A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
36W
Quantità per scatola
1
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tf(massimo)
150 ns
Tf(min)
80 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1150V
Vebo
9V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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