Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.90€
5-24
1.60€
25-49
1.42€
50-99
1.29€
100+
1.12€
Quantità in magazzino: 56

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1600V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Polarità: NPN. Potenza: 90W. Quantità per scatola: 1. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)
BUL216
26 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
1600V
Alloggiamento
TO-220
Corrente del collettore
4A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Funzione
commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching
Guadagno hFE massimo
40
Guadagno hFE minimo
10
Ic(impulso)
6A
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
90W
Polarità
NPN
Potenza
90W
Quantità per scatola
1
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
3V
Tf(massimo)
720 ns
Tf(min)
450 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
9V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics