Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.88€
5-24
0.77€
25-49
0.69€
50-99
0.62€
100+
0.50€
Quantità in magazzino: 19

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Quantità per scatola: 1. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tf(massimo): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BSR51
24 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92 ( SOT-54 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
200 MHz
Guadagno hFE massimo
2000
Guadagno hFE minimo
1000
Ic(impulso)
2A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.83W
Quantità per scatola
1
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1.3V
Tf(massimo)
1300 ns
Tf(min)
500 ns
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors