Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

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Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Alloggiamento: TO-50. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Corrente del collettore: 0.025A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. FT: 3.2GHz. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3.2GHz. Funzione: Amplificatore RF a banda larga fino alla gamma GHz.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Marcatura del produttore: BFW92A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Spec info: Transistor RF planare. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 25V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFW92A
30 parametri
Alloggiamento
TO-50
Corrente collettore Ic [A], max.
25mA
Corrente del collettore
0.025A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-50-3
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
25V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.3W
FT
3.2GHz
Famiglia di componenti
transistor NPN ad alta frequenza
Frequenza di taglio ft [MHz]
3.2GHz
Funzione
Amplificatore RF a banda larga fino alla gamma GHz.
Guadagno hFE massimo
150
Guadagno hFE minimo
20
Marcatura del produttore
BFW92A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Spec info
Transistor RF planare
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
15V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
25V
Prodotto originale del produttore
Vishay