Transistor NPN BFW30, 50mA, TO-72, TO-72, 10V

Transistor NPN BFW30, 50mA, TO-72, TO-72, 10V

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5-9
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Transistor NPN BFW30, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-72. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-72. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 1.6GHz. Funzione: VHF-UHF-A. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 100mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFW30
19 parametri
Corrente del collettore
50mA
Alloggiamento
TO-72
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-72
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
10V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
1.6GHz
Funzione
VHF-UHF-A
Guadagno hFE massimo
25
Guadagno hFE minimo
25
Ic(impulso)
100mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
Temperatura di funzionamento
-65...+200°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2.5V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors