Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.10€
5-24
2.87€
25-49
2.72€
50-99
2.60€
100+
2.41€
Quantità in magazzino: 113

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente del collettore: 200mA. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 0.7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 7GHz. Funzione: Per amplificatori d antenna VHF/UHF e applicazioni di comunicazione RF. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFG591
23 parametri
Corrente del collettore
200mA
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
15V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
0.7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
7GHz
Funzione
Per amplificatori d antenna VHF/UHF e applicazioni di comunicazione RF
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
60
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-60...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
3V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors