Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.36€
5-24
0.30€
25-49
0.26€
50-99
0.22€
100+
0.18€
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Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 25V. Corrente del collettore: 100mA. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Applicazioni: RF-POWER. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 25uA. Costo): 3.5pF. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Frequenza di taglio ft [MHz]: 750 MHz. Frequenza massima: 400MHz. Frequenza: 550MHz. Funzione: TV-IF. Marcatura del produttore: BF199. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Polarità: bipolari. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: transistor epitassiale planare. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 40V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BF199
37 parametri
Alloggiamento
TO-92
Tensione collettore-emettitore VCEO
25V
Corrente del collettore
100mA
Corrente collettore Ic [A], max.
100mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
25V
Applicazioni
RF-POWER
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
25uA
Costo)
3.5pF
Custodia (standard JEDEC)
TO-226AA
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.35W
FT
1100 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN ad alta frequenza
Frequenza di taglio ft [MHz]
750 MHz
Frequenza massima
400MHz
Frequenza
550MHz
Funzione
TV-IF
Marcatura del produttore
BF199
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
350mW
Polarità
bipolari
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
transistor epitassiale planare
Temperatura di funzionamento
da -55°C a +150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
40V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
25V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
4 v
Prodotto originale del produttore
Cdil