Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.09€
5-24
0.92€
25-49
0.82€
50-99
0.73€
100+
0.62€
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Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 12A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 12A. Corrente massima 1: 12A. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. FT: 20 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW94C. Guadagnare hfe: 750. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: BDW93C. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Polarità: bipolari. Potenza: 80W. Quantità per scatola: 2. Resistenza BE: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. RoHS: sì. Serie: BDW93. Struttura dielettrica: transistor Darlington. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tipo: transistor Darlington. Transistor Darlington?: sì. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Vcbo: 100V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BDW93C
48 parametri
Alloggiamento
TO-220
Corrente del collettore
12A
Tensione collettore-emettitore VCEO
100V
Corrente collettore Ic [A], max.
12A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
12A
Corrente massima 1
12A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220AB
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
100
Diodo BE
no
Diodo CE
Dissipazione massima Ptot [W]
80W
FT
20 MHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Funzione
transistor complementare (coppia) BDW94C
Guadagnare hfe
750
Guadagno hFE massimo
20000
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
15A
Marcatura del produttore
BDW93C
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
80W
Polarità
bipolari
Potenza
80W
Quantità per scatola
2
Resistenza BE
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
RoHS
Serie
BDW93
Struttura dielettrica
transistor Darlington
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
100V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
100V
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
3V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
NPN
Tipo
transistor Darlington
Transistor Darlington?
VCBO di tensione-base Collector
100V
Vcbo
100V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics