Transistor NPN BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 20A. Marcatura del produttore: BDV64BG. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65B. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:14