Transistor NPN BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 20A. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Quantità per scatola: 2. Spec info: transistor complementare (coppia) BDT65C. Tecnologia: transistor Darlington. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tf(massimo): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:14