Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V

Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.35€
5-49
1.15€
50-99
1.02€
100-199
0.95€
200+
0.85€
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Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 6A. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Confezione: tubus. Corrente collettore Ic [A]: 6A. Corrente massima 1: -6A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 20. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 3 MHz. Frequenza massima: 3MHz. Frequenza: 3MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 3MHz. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Polarità: bipolari. Potenza: 65W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BD. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tipo: Potenza. VCBO di tensione-base Collector: -100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BD244CG
38 parametri
Alloggiamento
TO-220
Corrente del collettore
6A
Tensione collettore-emettitore VCEO
-100V
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Confezione
tubus
Corrente collettore Ic [A]
6A
Corrente massima 1
-6A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
20
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
3 MHz
Frequenza massima
3MHz
Frequenza
3MHz
Guadagno hFE massimo
30
Guadagno hFE minimo
15
Ic(impulso)
10A
Larghezza di banda MHz
3MHz
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
65W
Polarità
bipolari
Potenza
65W
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BD
Spec info
transistor complementare (coppia) BD243C
Temperatura di funzionamento
-65°C...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
100V
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.5V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
PNP
Tipo
Potenza
VCBO di tensione-base Collector
-100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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