Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.5A, 60V - BD167

Transistor NPN, 1.5A, 60V - BD167
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Transistor NPN, 1.5A, 60V - BD167. Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD237

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238
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