Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.19€
5-49
0.16€
50-99
0.14€
100-199
0.13€
200+
0.11€
Quantità in magazzino: 226

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 125V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 12pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor NPN, Applicazioni AF e commutazione. Guadagno hFE massimo: 63. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: EKs. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX42. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.9V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BCX41E6327
24 parametri
Corrente del collettore
0.8A
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
125V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
12pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Funzione
Transistor NPN, Applicazioni AF e commutazione
Guadagno hFE massimo
63
Guadagno hFE minimo
25
Ic(impulso)
1A
Marcatura sulla cassa
EKs
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.33W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) BCX42
Temperatura di funzionamento
-65...150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.9V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
125V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies