Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor digitale al silicio PNP. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura sulla cassa: XUs. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Quantità per scatola: 1. Resistenza B: 4.7k Ohms. Resistenza BE: 4.7k Ohms. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34