Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

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Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Alloggiamento: SOT-223. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente massima 1: 1A. Custodia (standard JEDEC): TO-261. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 130MHz. Marcatura del produttore: BH. Numero di terminali: 3. Polarità: NPN. Potenza: 1.5W. RoHS: sì. Serie: BCP. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:48

Documentazione tecnica (PDF)
BCP56T1G
23 parametri
Alloggiamento
SOT-223
Tensione collettore-emettitore VCEO
80V
Corrente collettore Ic [A], max.
1A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente massima 1
1A
Custodia (standard JEDEC)
TO-261
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Dissipazione massima Ptot [W]
1.5W
Famiglia di componenti
transistor di potenza NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
130 MHz
Larghezza di banda MHz
130MHz
Marcatura del produttore
BH
Numero di terminali
3
Polarità
NPN
Potenza
1.5W
RoHS
Serie
BCP
Temperatura massima
+150°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Tipo di montaggio
SMD
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
100V
Prodotto originale del produttore
Onsemi