Transistor NPN BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0366€
50-99
0.0317€
100-299
0.0284€
300+
0.0245€
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Transistor NPN BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 100mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 220. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. FT: 150 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagnare hfe: 290. Ic(impulso): 200mA. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. Marcatura del produttore: 3F. Marcatura sulla cassa: 3F. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Polarità: bipolari. Potenza: 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BC. Spec info: SMD KO0 3F. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 50V, 45V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: -50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC857B
44 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (standard JEDEC)
TO-236
Tensione collettore-emettitore VCEO
-45V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
45V
Corrente collettore Ic [A], max.
100mA
Corrente del collettore
100mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente collettore Ic [A]
100mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
220
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.25W
FT
150 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Funzione
uso generale
Guadagnare hfe
290
Ic(impulso)
200mA
Larghezza di banda MHz
100MHz
Marcatura del produttore
3F
Marcatura sulla cassa
3F
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.33W
Polarità
bipolari
Potenza
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BC
Spec info
SMD KO0 3F
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
50V, 45V
Tipo di montaggio
SMD
Tipo di transistor
PNP
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
-50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies
Quantità minima
10