Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-24
0.0465€
25-99
0.0348€
100-249
0.0300€
250-499
0.0275€
500+
0.0216€
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Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 100mA. Costo): 4.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Frequenza: 100MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 250. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225W. Polarità: bipolari. Potenza: 200mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 1G. Tensione (collettore - emettitore): 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC847C
29 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente del collettore
0.1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente collettore Ic [A]
100mA
Costo)
4.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Frequenza
100MHz
Funzione
uso generale
Guadagno hFE massimo
800
Guadagno hFE minimo
250
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.225W
Polarità
bipolari
Potenza
200mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 1G
Tensione (collettore - emettitore)
45V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.25V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.6V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor
Quantità minima
10