Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0449€
50-99
0.0378€
100-499
0.0317€
500+
0.0239€
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Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Tensione collettore-emettitore VCEO: 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Confezione: bobina. Corrente collettore Ic [A]: 0.5A. 500mA. Corrente massima 1: 0.8A. Costo): 10pF. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 250. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 170 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Imballaggio originale: 3000. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. Marcatura sulla cassa: 6C. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Polarità: bipolari. Potenza: 225mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BC. Spec info: serigrafia/codice SMD 6C. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: NPN. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: 50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC817-40
41 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Tensione collettore-emettitore VCEO
45V
Corrente del collettore
0.5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Confezione
bobina
Corrente collettore Ic [A]
0.5A
Corrente massima 1
0.8A
Costo)
10pF
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
250
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
170 MHz
Funzione
NF-TR
Guadagno hFE massimo
630
Guadagno hFE minimo
250
Ic(impulso)
1A
Imballaggio originale
3000
Larghezza di banda MHz
100MHz
Marcatura sulla cassa
6C
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.33W
Polarità
bipolari
Potenza
225mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BC
Spec info
serigrafia/codice SMD 6C
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
50V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di montaggio
SMD
Tipo di transistor
NPN
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor
Quantità minima
10

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