Transistor NPN BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V

Transistor NPN BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0599€
50-99
0.0502€
100+
0.0428€
Quantità in magazzino: 990
Min.: 10

Transistor NPN BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546C. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC556C
23 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
150 MHz
Guadagno hFE massimo
800
Guadagno hFE minimo
420
Ic(impulso)
200mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.5W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BC546C
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc
Quantità minima
10