Transistor NPN BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V

Transistor NPN BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0425€
50-99
0.0358€
100-499
0.0312€
500+
0.0263€
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Transistor NPN BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore VCEO: -65V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 9pF. Condizionamento: -. Confezione: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 100mA. Costo): 6pF. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Guadagnare hfe: 200. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 200mA. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: BC556B. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Polarità: bipolari. Potenza: 0.5W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BC. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546B. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 65V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: -80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC556B
49 parametri
Alloggiamento
TO-92
Custodia (standard JEDEC)
TO-226
Tensione collettore-emettitore VCEO
-65V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
65V
Corrente collettore Ic [A], max.
100mA
Corrente del collettore
100mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
9pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
100mA
Costo)
6pF
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.5W
FT
100 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
150 MHz
Guadagnare hfe
200
Guadagno hFE massimo
450
Guadagno hFE minimo
200
Ic(impulso)
200mA
Larghezza di banda MHz
100MHz
Marcatura del produttore
BC556B
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.5W
Polarità
bipolari
Potenza
0.5W
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BC
Spec info
transistor complementare (coppia) BC546B
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
65V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
PNP
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
-80V
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Cdil
Quantità minima
10