Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-99
0.0514€
100-199
0.0450€
200-499
0.0398€
500+
0.0332€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 237
Min.: 10

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: transistor epitassiale planare. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC546C
25 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
65V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Guadagno hFE massimo
800
Guadagno hFE minimo
420
Ic(impulso)
200mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
transistor epitassiale planare
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.25V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Lge Technology
Quantità minima
10

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