Transistor NPN 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V

Transistor NPN 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.27€
5-24
0.21€
25-49
0.19€
50-99
0.17€
100+
0.14€
Quantità in magazzino: 53

Transistor NPN 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 50pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di uscita AF. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 340. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 40V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24

Documentazione tecnica (PDF)
2SD965
25 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
20V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
50pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Funzione
Amplificatore di uscita AF
Guadagno hFE massimo
600
Guadagno hFE minimo
340
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.75W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.35V
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
40V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Cdil