Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 35pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): -. Marcatura sulla cassa: D2012. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:46