Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.44€
5-9
0.33€
10-24
0.28€
25+
0.25€
Quantità in magazzino: 850

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. FT: 150 MHz. Funzione: transistor bipolare. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: DAQ. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD DAQ. Tecnologia: Tipo planare epitassiale. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 1000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ROHM. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:46

Documentazione tecnica (PDF)
2SD1664Q
26 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-89
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
32V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Condizionamento
rotolo
FT
150 MHz
Funzione
transistor bipolare
Guadagno hFE massimo
270
Guadagno hFE minimo
120
Ic(impulso)
2A
Marcatura sulla cassa
DAQ
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.5W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD DAQ
Tecnologia
Tipo planare epitassiale
Temperatura di funzionamento
+55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.15V
Tipo di transistor
NPN
Unità di condizionamento
1000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ROHM