Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.92€
5-24
0.73€
25-49
0.65€
50+
0.58€
Quantità in magazzino: 56

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: DG. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD DG. Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:46

Documentazione tecnica (PDF)
2SD1624S
26 parametri
Corrente del collettore
3A
Alloggiamento
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-89
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
FT
150 MHz
Funzione
commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione
Guadagno hFE massimo
280
Guadagno hFE minimo
140
Ic(impulso)
6A
Marcatura sulla cassa
DG
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.5W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD DG
Tecnologia
"Transistor al silicio planari epitassiali"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.35V
Tf(massimo)
35 ns
Tf(min)
35 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Sanyo